CSD19532KTT
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| Numero di parte | CSD19532KTT |
|---|---|
| fabbricante | N/A |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 500 pcs | 1000 pcs | 2500 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.521 | $0.432 | $0.402 | |||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | CSD19532KTT | fabbricante | N/A |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 74079 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 5060pF @ 50V |
| Tensione - Ripartizione | DDPAK/TO-263-3 | Vgs (th) (max) a Id | 5.6 mOhm @ 90A, 10V |
| Vgs (Max) | 6V, 10V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | NexFET™ | Stato RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 200A (Ta) | Polarizzazione | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi | 296-44970-2 CSD19532KTT-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Livello di sensibilità umidità (MSL) | 2 (1 Year) |
| Produttore tempi di consegna standard | 13 Weeks | codice articolo del costruttore | CSD19532KTT |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 57nC @ 10V | Tipo IGBT | ±20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2V @ 250µA | Caratteristica FET | N-Channel |
| Descrizione espansione | N-Channel 100V 200A (Ta) 250W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3 | Tensione drain-source (Vdss) | - |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 100V |
| rapporto di capacità | 250W (Tc) |
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