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Descrizione MOSFET N-CH 60V 200A
Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS conforme
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Numero di parte CSD18535KTT fabbricante N/A
Descrizione MOSFET N-CH 60V 200A Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 32738 pcs Scheda dati
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore DDPAK/TO-263-3 Serie NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs 2 mOhm @ 100A, 10V Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Altri nomi 296-48121-1 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 2 (1 Year)
Produttore tempi di consegna standard 35 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6620pF @ 30V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione dettagliata N-Channel 60V 200A (Ta) 300W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200A (Ta)

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