CSD16411Q3
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| Numero di parte | CSD16411Q3 |
|---|---|
| fabbricante | N/A |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.108 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | CSD16411Q3 | fabbricante | N/A |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 195905 pcs | Scheda dati | CSD16411Q3 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 570pF @ 12.5V |
| Tensione - Ripartizione | 8-VSON (3.3x3.3) | Vgs (th) (max) a Id | 10 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (Max) | 4.5V, 10V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | NexFET™ | Stato RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 14A (Ta), 56A (Tc) | Polarizzazione | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi | 296-24255-2 CSD16411Q3/2801 CSD16411Q3/2801-ND |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 12 Weeks | codice articolo del costruttore | CSD16411Q3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3.8nC @ 4.5V | Tipo IGBT | +16V, -12V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3V @ 250µA | Caratteristica FET | N-Channel |
| Descrizione espansione | N-Channel 25V 14A (Ta), 56A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3) | Tensione drain-source (Vdss) | - |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 25V |
| rapporto di capacità | 2.7W (Ta) |
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