CSD13302WT
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| Numero di parte | CSD13302WT |
|---|---|
| fabbricante | N/A |
| Descrizione | MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-DSBGA |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2750 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.059 | |||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | CSD13302WT | fabbricante | N/A |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-DSBGA | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 334251 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±10V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 4-DSBGA (1x1) | Serie | NexFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 17.1 mOhm @ 1A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 4-UFBGA, DSBGA |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 35 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 862pF @ 6V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 4.5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 12V | Descrizione dettagliata | N-Channel 12V 1.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Ta) |
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