TT8M2TR
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| Numero di parte | TT8M2TR |
|---|---|
| fabbricante | LAPIS Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A TSST8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.121 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TT8M2TR | fabbricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A TSST8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 160047 pcs | Scheda dati | TT8M2TSMT8 TR Taping Spec |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 1mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-TSST | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V | Potenza - Max | 1.25W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SMD, Flat Lead |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 10 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V | Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 30V, 20V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 2.5A 1.25W Surface Mount 8-TSST | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A |
| Numero di parte base | *M2 |
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