SP8M5TB
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| Numero di parte | SP8M5TB |
|---|---|
| fabbricante | LAPIS Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SP8M5TB | fabbricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5512 pcs | Scheda dati | SP8M5 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 1mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOP | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 30 mOhm @ 6A, 10V | Potenza - Max | 2W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | SP8M5TBTR | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2nC @ 5V | Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 7A 2W Surface Mount 8-SOP | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6A, 7A |
| Numero di parte base | *M5 |
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