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RR2LAM6STR

RR2LAM6STR
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Numero di parte RR2LAM6STR
fabbricante LAPIS Semiconductor
Descrizione DIODE GEN PURP 600V 2A PMDTM
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 364169 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte RR2LAM6STR fabbricante LAPIS Semiconductor
Descrizione DIODE GEN PURP 600V 2A PMDTM Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 364169 pcs Scheda dati PMDTM TR Taping SpecRR2LAM6S
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.1V @ 2A
Tensione - inversa (Vr) (max) 600V Contenitore dispositivo fornitore PMDTM
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Serie -
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro SOD-128
Altri nomi RR2LAM6SCT Temperatura di funzionamento - Giunzione 150°C (Max)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 20 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo Standard Descrizione dettagliata Diode Standard 600V 2A Surface Mount PMDTM
Corrente - Dispersione inversa a Vr 10µA @ 600V Corrente - raddrizzata media (Io) 2A
Capacità a Vr, F -

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