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Numero di parte RFN3BGE6STL
fabbricante LAPIS Semiconductor
Descrizione SUPER FAST RECOVERY DIODE
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 157324 pcs
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Numero di parte RFN3BGE6STL fabbricante LAPIS Semiconductor
Descrizione SUPER FAST RECOVERY DIODE Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 157324 pcs Scheda dati RFN3BGE6S
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.55V @ 3A
Tensione - inversa (Vr) (max) 600V Contenitore dispositivo fornitore TO-252GE
Velocità Fast Recovery = 200mA (Io) Serie -
Tempo di ripristino inverso (trr) 30ns imballaggio Original-Reel®
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Altri nomi RFN3BGE6STLDKR
Temperatura di funzionamento - Giunzione 150°C (Max) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Tipo diodo Standard
Descrizione dettagliata Diode Standard 600V 3A Surface Mount TO-252GE Corrente - Dispersione inversa a Vr 10µA @ 600V
Corrente - raddrizzata media (Io) 3A Capacità a Vr, F -

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