RDD023N50TL
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| Numero di parte | RDD023N50TL |
|---|---|
| fabbricante | LAPIS Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 2A CPT3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.115 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | RDD023N50TL | fabbricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 2A CPT3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 196649 pcs | Scheda dati | RDD023N50 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | CPT3 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 5.4 Ohm @ 1A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 20W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | RDD023N50TLTR | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 151pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 500V | Descrizione dettagliata | N-Channel 500V 2A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount CPT3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
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