RCJ081N20TL
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| Numero di parte | RCJ081N20TL |
|---|---|
| fabbricante | LAPIS Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 8A LPT |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.177 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | RCJ081N20TL | fabbricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 8A LPT | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 121355 pcs | Scheda dati | RCJ081N20LPTS TL Taping Spec |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5.25V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | LPTS (SC-83) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 770 mOhm @ 4A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 1.56W (Ta), 40W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi | RCJ081N20TLTR | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 17 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 200V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 200V 8A (Tc) 1.56W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount LPTS (SC-83) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
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