MSM5118165F-60T3K-MT
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| Numero di parte | MSM5118165F-60T3K-MT |
|---|---|
| fabbricante | LAPIS Semiconductor |
| Descrizione | IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $4.564 | |||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | MSM5118165F-60T3K-MT | fabbricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 7853 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Circuiti integrati (ICS) | Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | - |
| Tensione di alimentazione - | 4.5 V ~ 5.5 V | Tecnologia | DRAM |
| Contenitore dispositivo fornitore | 50-TSOP II | Serie | - |
| imballaggio | Tray | Contenitore / involucro | 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Altri nomi | MSM5118165F-60T3-K-7 MSM5118165F-60T3-K-7-ND MSM5118165F-60T3K MSM5118165F-60T3K-MT-ND MSM5118165F60T3KMT |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 2 (1 Year) |
| Tipo di memoria | Volatile | Dimensione della memoria | 16Mb (1M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | DRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descrizione dettagliata | DRAM Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 30ns 50-TSOP II |
| Numero di parte base | MSM5* | Tempo di accesso | 30ns |
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