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SPB80N03S2L-05 G

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Numero di parte SPB80N03S2L-05 G
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5924 pcs
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Numero di parte SPB80N03S2L-05 G fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5924 pcs Scheda dati SP(I,P,B)80N03S2L-05
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2V @ 110µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2 Serie OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 4.9 mOhm @ 55A, 10V Dissipazione di potenza (max) 167W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi SP000200144
SPB80N03S2L-05 G-ND
SPB80N03S2L-05G
SPB80N03S2L05GXT
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3320pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 89.7nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V Descrizione dettagliata N-Channel 30V 80A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)

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