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SIDC30D120E6X1SA2

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Numero di parte SIDC30D120E6X1SA2
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
In Stock 4564 pcs
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Numero di parte SIDC30D120E6X1SA2 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile 4564 pcs Scheda dati SIDC30D120E6
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.9V @ 35A
Tensione - inversa (Vr) (max) 1200V Contenitore dispositivo fornitore Sawn on foil
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Serie -
imballaggio Bulk Contenitore / involucro Die
Altri nomi SIDC30D120E6
SIDC30D120E6-ND
SP000011946		 Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Tipo diodo Standard
Descrizione dettagliata Diode Standard 1200V 35A (DC) Surface Mount Sawn on foil Corrente - Dispersione inversa a Vr 27µA @ 1200V
Corrente - raddrizzata media (Io) 35A (DC) Capacità a Vr, F -

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