SIDC03D120H6X1SA3
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| Numero di parte | SIDC03D120H6X1SA3 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SIDC03D120H6X1SA3 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 5110 pcs | Scheda dati | SIDC03D120H6 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 1.6V @ 3A |
| Tensione - inversa (Vr) (max) | 1200V | Contenitore dispositivo fornitore | Sawn on foil |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Serie | - |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | Die |
| Altri nomi | SIDC03D120H6 SIDC03D120H6-ND SP000013218 |
Temperatura di funzionamento - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Tipo diodo | Standard |
| Descrizione dettagliata | Diode Standard 1200V 3A (DC) Surface Mount Sawn on foil | Corrente - Dispersione inversa a Vr | 27µA @ 1200V |
| Corrente - raddrizzata media (Io) | 3A (DC) | Capacità a Vr, F | - |
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