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SI4410DY

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Numero di parte SI4410DY
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
In Stock 6046 pcs
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Numero di parte SI4410DY fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile 6046 pcs Scheda dati SI4410DY
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SO Serie HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 13.5 mOhm @ 10A, 10V Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)
imballaggio Tube Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi *SI4410DY temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1585pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V Descrizione dettagliata N-Channel 30V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)

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