IRLU3705Z
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| Numero di parte | IRLU3705Z |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IRLU3705Z | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| quantità disponibile | 5253 pcs | Scheda dati | IRLR3705Z, IRLU3705Z |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±16V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | I-PAK | Serie | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 8 mOhm @ 42A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 130W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Altri nomi | *IRLU3705Z | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 55V | Descrizione dettagliata | N-Channel 55V 42A (Tc) 130W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 42A (Tc) |
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