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IRLR4343-701PBF

IRLR4343-701PBF
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Numero di parte IRLR4343-701PBF
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 70049 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte IRLR4343-701PBF fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 55V 26A DPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 70049 pcs Scheda dati IRLR4343, IRLU4343/-701
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK (LF701) Serie HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 50 mOhm @ 4.7A, 10V Dissipazione di potenza (max) 79W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 50V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 55V
Descrizione dettagliata N-Channel 55V 26A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount I-PAK (LF701) Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Tc)

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