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IRLL024NPBF

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Numero di parte IRLL024NPBF
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 165996 pcs
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Numero di parte IRLL024NPBF fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 165996 pcs Scheda dati IRLL024NPbF
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA
Vgs (Max) ±16V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223 Serie HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 65 mOhm @ 3.1A, 10V Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi SP001550452 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15.6nC @ 5V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 55V Descrizione dettagliata N-Channel 55V 3.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.1A (Ta)

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