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IRFR9N20DTRPBF

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Numero di parte IRFR9N20DTRPBF
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 128555 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte IRFR9N20DTRPBF fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 128555 pcs Scheda dati IRFR9N20DPbF, IRFU9N20DPbF
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 5.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak Serie HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 380 mOhm @ 5.6A, 10V Dissipazione di potenza (max) 86W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi IRFR9N20DTRPBF-ND
IRFR9N20DTRPBFTR
SP001552256		 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 200V Descrizione dettagliata N-Channel 200V 9.4A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.4A (Tc)

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