IRFR1018ETRRPBF
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| Numero di parte | IRFR1018ETRRPBF |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 79A DPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IRFR1018ETRRPBF | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 79A DPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5543 pcs | Scheda dati | IRF(R,U)1018EPbF |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | D-Pak | Serie | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 8.4 mOhm @ 47A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 110W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | SP001572846 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2290pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V | Descrizione dettagliata | N-Channel 60V 56A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 56A (Tc) |
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