IRF7311PBF
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| Numero di parte | IRF7311PBF |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3800 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.182 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IRF7311PBF | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 122691 pcs | Scheda dati | IRF7311PBF |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 700mV @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO | Serie | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 29 mOhm @ 6A, 4.5V | Potenza - Max | 2W |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | SP001572034 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.6A 2W Surface Mount 8-SO | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6.6A |
| Numero di parte base | IRF7311PBF |
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