IRF6720S2TR1PBF
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| Numero di parte | IRF6720S2TR1PBF |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IRF6720S2TR1PBF | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5385 pcs | Scheda dati | IRF6720S2TR(1)PBF |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.35V @ 25µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | DIRECTFET S1 | Serie | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 8 mOhm @ 11A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 1.7W (Ta), 17W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | DirectFET™ Isometric S1 |
| Altri nomi | IRF6720S2TR1PBFCT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1140pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 11A (Ta), 35A (Tc) 1.7W (Ta), 17W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 35A (Tc) |
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