IPU80R3K3P7AKMA1
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| Numero di parte | IPU80R3K3P7AKMA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.34 | $0.296 | $0.229 | $0.169 | $0.135 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IPU80R3K3P7AKMA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 167229 pcs | Scheda dati | IPU80R3K3P7 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 30µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO251-3 | Serie | CoolMOS™ P7 |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 3.3 Ohm @ 590mA, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 18W (Tc) |
| Contenitore / involucro | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Altri nomi | SP001636448 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 120pF @ 500V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 800V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 800V 1.9A (Tc) 18W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1.9A (Tc) |
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