IPS110N12N3GBKMA1
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| Numero di parte | IPS110N12N3GBKMA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IPS110N12N3GBKMA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4062 pcs | Scheda dati | IPx110N12N3 G |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 83µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO251-3 | Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 11 mOhm @ 75A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 136W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Altri nomi | IPS110N12N3 G IPS110N12N3 G-ND IPS110N12N3GBKMA1TR-ND SP000674456 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4310pF @ 60V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 120V | Descrizione dettagliata | N-Channel 120V 75A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
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