IPS060N03LGBKMA1
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| Numero di parte | IPS060N03LGBKMA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO251-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | IPS060N03LGBKMA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO251-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4971 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.2V @ 250µA |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
| Serie | OptiMOS™ | Rds On (max) a Id, Vgs | 6 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 56W (Tc) | imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-251-3 Stub Leads, IPak | Altri nomi | SP000252576 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 15V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 50A (Tc) 56W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
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