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IPP084N06L3GXKSA1

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Numero di parte IPP084N06L3GXKSA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 60V 50A TO-220-3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 67896 pcs
Prezzo di Riferimento
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Product parameter

Numero di parte IPP084N06L3GXKSA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 60V 50A TO-220-3 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 67896 pcs Scheda dati IPx081,84N06L3 G
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 34µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO-220-3 Serie OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 8.4 mOhm @ 50A, 10V Dissipazione di potenza (max) 79W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3
Altri nomi IPP084N06L3 G
IPP084N06L3 G-ND
SP000680838
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4900pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 60V Descrizione dettagliata N-Channel 60V 50A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)

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