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IPP052NE7N3GHKSA1

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Numero di parte IPP052NE7N3GHKSA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4642 pcs
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Numero di parte IPP052NE7N3GHKSA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4642 pcs Scheda dati IPP052NE7N3 G, IPI052NE7N3 G
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3.8V @ 91µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO-220-3 Serie OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 5.2 mOhm @ 80A, 10V Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3
Altri nomi SP000846650 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4750pF @ 37.5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 75V Descrizione dettagliata N-Channel 75V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)

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