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IPP029N06NAKSA1

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Numero di parte IPP029N06NAKSA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 60V 24A TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 72753 pcs
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Numero di parte IPP029N06NAKSA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 60V 24A TO220 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 72753 pcs Scheda dati IPP029N06N
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.8V @ 75µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO-220-3 Serie OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 2.9 mOhm @ 100A, 10V Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 136W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3
Altri nomi IPP029N06N
IPP029N06N-ND
SP000917404		 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4100pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 60V Descrizione dettagliata N-Channel 60V 24A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Ta), 100A (Tc)

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