IPL65R190E6AUMA1
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| Numero di parte | IPL65R190E6AUMA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 4VSON |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IPL65R190E6AUMA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 4VSON | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5233 pcs | Scheda dati | IPL65R190E6 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 700µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-VSON-4 | Serie | CoolMOS™ E6 |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 190 mOhm @ 7.3A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 151W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 4-PowerTSFN |
| Altri nomi | SP001074938 | temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 2A (4 Weeks) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1620pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 73nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650V | Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20.2A (Tc) |
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