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IPI80N04S304AKSA1

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Numero di parte IPI80N04S304AKSA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4900 pcs
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Numero di parte IPI80N04S304AKSA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4900 pcs Scheda dati IPx80N04S3-04
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 90µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO262-3 Serie OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 4.1 mOhm @ 80A, 10V Dissipazione di potenza (max) 136W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Altri nomi IPI80N04S3-04
IPI80N04S3-04-ND
SP000261226		 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 40V Descrizione dettagliata N-Channel 40V 80A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)

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