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IPI120N08S403AKSA1

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Numero di parte IPI120N08S403AKSA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH TO262-3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 36528 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		500 pcs
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Numero di parte IPI120N08S403AKSA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH TO262-3 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 36528 pcs Scheda dati IPx120N08S4-03
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 223µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO262-3-1 Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 2.8 mOhm @ 100A, 10V Dissipazione di potenza (max) 278W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Altri nomi SP000989108 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11550pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 167nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 80V Descrizione dettagliata N-Channel 80V 120A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)

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