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IPI075N15N3GXKSA1

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Numero di parte IPI075N15N3GXKSA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 24702 pcs
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Product parameter

Numero di parte IPI075N15N3GXKSA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 24702 pcs Scheda dati IPB072N15N3, IPP075N15N3, IPI075N15N3 G
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 270µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO262-3 Serie OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5 mOhm @ 100A, 10V Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Altri nomi SP000680676 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5470pF @ 75V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 93nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 150V Descrizione dettagliata N-Channel 150V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)

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