IPD65R1K5CEAUMA1
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| Numero di parte | IPD65R1K5CEAUMA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.098 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IPD65R1K5CEAUMA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 236982 pcs | Scheda dati | IPD65R1K5CE |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO252-3 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 53W (Tc) |
| Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Altri nomi | SP001422862 |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 225pF @ 100V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 700V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 700V 5.2A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5.2A (Tc) |
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