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IPD60R380E6BTMA1

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Numero di parte IPD60R380E6BTMA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
Stato Lead senza piombo / RoHS Non applicabile / Non applicabile
In Stock 5753 pcs
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Numero di parte IPD60R380E6BTMA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET NCH 600V 10.6A TO252 Stato Lead senza piombo / RoHS Non applicabile / Non applicabile
quantità disponibile 5753 pcs Scheda dati IPx60R380E6
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 300µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3 Serie CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 380 mOhm @ 3.8A, 10V Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc)
imballaggio Bulk Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio -55°C ~ 155°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Stato senza piombo / Stato RoHS Not applicable / Not applicable Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET Super Junction Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V Descrizione dettagliata N-Channel 600V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10.6A (Tc)

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