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IPD33CN10NGATMA1

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Numero di parte IPD33CN10NGATMA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 123781 pcs
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Numero di parte IPD33CN10NGATMA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 123781 pcs Scheda dati IPx3xCN10N G
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 29µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3 Serie OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 33 mOhm @ 27A, 10V Dissipazione di potenza (max) 58W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi IPD33CN10NGATMA1CT temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1570pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100V Descrizione dettagliata N-Channel 100V 27A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 27A (Tc)

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