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IPD30N10S3L34ATMA1

IPD30N10S3L34ATMA1
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Numero di parte IPD30N10S3L34ATMA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 136778 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
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Numero di parte IPD30N10S3L34ATMA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 136778 pcs Scheda dati IPD30N10S3L-34
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 29µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3 Serie OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 31 mOhm @ 30A, 10V Dissipazione di potenza (max) 57W (Tc)
imballaggio Original-Reel® Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi IPD30N10S3L-34DKR
IPD30N10S3L-34DKR-ND
IPD30N10S3L34ATMA1DKR		 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1976pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100V Descrizione dettagliata N-Channel 100V 30A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)

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