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IPD122N10N3GATMA1

IPD122N10N3GATMA1
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Numero di parte IPD122N10N3GATMA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 100V 59A
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 113627 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		2500 pcs
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Numero di parte IPD122N10N3GATMA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 100V 59A Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 113627 pcs Scheda dati IPD122N10N3G
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 46µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3 Serie OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 12.2 mOhm @ 46A, 10V Dissipazione di potenza (max) 94W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi IPD122N10N3GATMA1TR
SP001127828		 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100V Descrizione dettagliata N-Channel 100V 59A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 59A (Tc)

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