IPC218N04N3X1SA1
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| Numero di parte | IPC218N04N3X1SA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 2A SAWN ON FOIL |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 6195 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.786 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IPC218N04N3X1SA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 2A SAWN ON FOIL | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 46237 pcs | Scheda dati | IPC218N04N3 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 200µA |
| Vgs (Max) | - | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | Sawn on foil | Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 50 mOhm @ 2A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | - |
| Contenitore / involucro | Die | Altri nomi | SP000448986 |
| temperatura di esercizio | - | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 40V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 40V 2A (Tj) Surface Mount Sawn on foil | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Tj) |
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