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IPB80N06S4L05ATMA2

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Numero di parte IPB80N06S4L05ATMA2
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 71121 pcs
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Numero di parte IPB80N06S4L05ATMA2 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 71121 pcs Scheda dati IPx80N06S4L-05
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 60µA
Vgs (Max) ±16V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-3-2 Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 5.1 mOhm @ 80A, 10V Dissipazione di potenza (max) 107W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi SP001028720 temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8180pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 60V Descrizione dettagliata N-Channel 60V 80A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)

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