IPB042N10N3GE8187ATMA1
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| Numero di parte | IPB042N10N3GE8187ATMA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.564 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IPB042N10N3GE8187ATMA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 57993 pcs | Scheda dati | IPx0(42,45)N10N3 G |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 150µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) | Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 50A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 214W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi | IPB042N10N3 G E8187 IPB042N10N3 G E8187-ND IPB042N10N3 G E8187TR-ND IPB042N10N3GE8187ATMA1TR SP000939332 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8410pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 100V | Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
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