IPB025N10N3GE8187ATMA1
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| Numero di parte | IPB025N10N3GE8187ATMA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.205 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | IPB025N10N3GE8187ATMA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 26538 pcs | Scheda dati | IPB025N10N3 G |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 275µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO263-7 | Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 100A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Altri nomi | IPB025N10N3 G E8187 IPB025N10N3 G E8187-ND IPB025N10N3GE8187ATMA1TR SP000939338 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14800pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 206nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 100V | Descrizione dettagliata | N-Channel 100V 180A 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 180A |
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