FF23MR12W1M1B11BOMA1
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| Numero di parte | FF23MR12W1M1B11BOMA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $35.662 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | FF23MR12W1M1B11BOMA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE | Stato Lead senza piombo / RoHS | Contiene piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 1067 pcs | Scheda dati | CoolSiC™ MOSFET BriefFF23MR12W1M1_B11 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5.55V @ 20mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | Module | Serie | CoolSiC™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 23 mOhm @ 50A, 15V | Potenza - Max | 20mW |
| imballaggio | Tray | Contenitore / involucro | Module |
| Altri nomi | SP001602224 | temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Chassis Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Contains lead / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 800V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 15V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Silicon Carbide (SiC) | Tensione drain-source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 50A 20mW Chassis Mount Module | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 50A |
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