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FF11MR12W1M1B11BOMA1

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Numero di parte FF11MR12W1M1B11BOMA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE
Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS conforme
In Stock 675 pcs
Prezzo di Riferimento
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Product parameter

Numero di parte FF11MR12W1M1B11BOMA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 675 pcs Scheda dati CoolSiC™ MOSFET BriefFF11MR12W1M1_B11
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 5.55V @ 40mA
Contenitore dispositivo fornitore Module Serie CoolSiC™
Rds On (max) a Id, Vgs 11 mOhm @ 100A, 15V Potenza - Max 20mW
imballaggio Tray Contenitore / involucro Module
Altri nomi FF11MR12W1M1_B11
SP001602204		 temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Chassis Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7950pF @ 800V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 250nC @ 15V Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Silicon Carbide (SiC) Tensione drain-source (Vdss) 1200V (1.2kV)
Descrizione dettagliata Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A 20mW Chassis Mount Module Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100A

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