Italia

Seleziona la lingua

  1. English
  2. Deutsch
  4. Français
  5. Italia
  6. Dansk
  7. 한국의
  8. Português
  9. ภาษาไทย
  10. Kongeriket
  11. Maori
  12. Melayu
  13. polski
  14. Nederland
  15. Türk dili
  16. Suomi
  17. Tiếng Việt
  18. Svenska
  19. русский
  20. العربية
  21. Gaeilge
  22. Republika e Shqipërisë
  23. Eesti Vabariik
  24. Български език
  25. Pilipino
  26. Čeština
  27. Hrvatska
  28. românesc
  29. မြန်မာ
  30. Cрпски
  31. සිංහල
  32. Slovenská
  33. Slovenija
  34. español
  35. עִבְרִית
  36. Ελλάδα
  37. Magyarország
  38. Azərbaycan
  39. Беларусь
  40. íslenska
  41. Bosna
  42. فارسی
  43. Afrikaans
  44. Cambodia
  45. საქართველო
  46. Ayiti
  47. Hausa
  48. Kurdî
  49. Latviešu
  50. ພາສາລາວ
  51. lietuvių
  52. Lëtzebuergesch
  53. malaɡasʲ
  54. Македонски
  55. Україна
  56. Indonesia
  57. پښتو
  58. हिंदी
  59. Монголулс
  60. اردو
  61. বাংলা ভাষার
  62. नेपाली
  63. O'zbek
  64. मराठी
Annulla
RFQ / ordine | Contatto |
Si prega di inserire un numero di parte produttore totale o parziale, con un minimo di 3 lettere o numeri
RFQs / Order
Part No. Manufacturer Qty  
Presenti l'inchiesta
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-moduli > DF200R12W1H3B27BOMA1

DF200R12W1H3B27BOMA1

OMRON AUTOMATION & SAFETYLe immagini sono solo di riferimento.
Vedere le specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
acquistare DF200R12W1H3B27BOMA1 con fiducia da Components-World.HK, 1 anno di garanzia

Richiedi un preventivo

Numero di parte DF200R12W1H3B27BOMA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Stato Lead senza piombo / RoHS
In Stock 1800 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		24 pcs
$18.727

Invia una richiesta di offerta a quantità maggiori di quelle visualizzate.

Prezzo indicativo:(USD)
Quantità:
Totale:
$18.727

Product parameter

Numero di parte DF200R12W1H3B27BOMA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione IGBT MODULE VCES 1200V 200A Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile 1800 pcs Scheda dati DF200R12W1H3_B27
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 1.3V @ 15V, 30A Contenitore dispositivo fornitore Module
Serie - Potenza - Max 375W
Contenitore / involucro Module Altri nomi DF200R12W1H3_B27
DF200R12W1H3_B27-ND
SP001056182
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C Termistore NTC Yes
Tipo montaggio Chassis Mount Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 2nF @ 25V
Ingresso Standard Tipo IGBT -
Descrizione dettagliata IGBT Module 2 Independent 1200V 30A 375W Chassis Mount Module Corrente - Cutoff collettore (max) 1mA
Corrente - collettore (Ic) (max) 30A Configurazione 2 Independent

Prodotti correlati

$0.076/pcsInchiesta
$0.16/pcsInchiesta
$34.386/pcsInchiesta
DF206-G Image
$0.072/pcsInchiesta
$0.14/pcsInchiesta
DF204ST-G Image
$0.109/pcsInchiesta
DF206S-G Image
$0.073/pcsInchiesta
$0.142/pcsInchiesta
$0.144/pcsInchiesta
$0.075/pcsInchiesta
$64.999/pcsInchiesta
DF206ST-G Image
$0.108/pcsInchiesta
$0.139/pcsInchiesta
$0.161/pcsInchiesta
$0.077/pcsInchiesta
DF204-G Image
$0.071/pcsInchiesta
$0.161/pcsInchiesta
DF204S-G Image
$0.071/pcsInchiesta
 Inchiesta
$27.639/pcsInchiesta

Notizie correlate per DF200R12W1H3B27BOMA1

Parole chiave collegate a DF200R12W1H3B27BOMA1

International Rectifier (Infineon Technologies) DF200R12W1H3B27BOMA1. Distributore DF200R12W1H3B27BOMA1. DF200R12W1H3B27BOMA1 fornitore. Prezzo DF200R12W1H3B27BOMA1. DF200R12W1H3B27BOMA1 Scarica la scheda tecnica Foglio dati DF200R12W1H3B27BOMA1. Stock DF200R12W1H3B27BOMA1.Acquista DF200R12W1H3B27BOMA1. International Rectifier (Infineon Technologies) DF200R12W1H3B27BOMA1. International Rectifier DF200R12W1H3B27BOMA1. Infineon Technologies DF200R12W1H3B27BOMA1. International Rectifier (Infineon Technologies) DF200R12W1H3B27BOMA1. IR (Infineon Technologies) DF200R12W1H3B27BOMA1.