DF11MR12W1M1B11BOMA1
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| Numero di parte | DF11MR12W1M1B11BOMA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET MODULE 1200V 50A |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 24 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $48.594 | $46.296 | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | DF11MR12W1M1B11BOMA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET MODULE 1200V 50A | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 822 pcs | Scheda dati | DF11MR12W1M1_B11 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5.5V @ 20mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | Module | Serie | CoolSiC™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 23 mOhm @ 50A, 15V | Potenza - Max | 20mW |
| Contenitore / involucro | Module | Altri nomi | SP001602238 |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Chassis Mount |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 800V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Silicon Carbide (SiC) | Tensione drain-source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 50A 20mW Chassis Mount Module | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 50A |
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