BUZ31H3046XKSA1
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| Numero di parte | BUZ31H3046XKSA1 |
|---|---|
| fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | BUZ31H3046XKSA1 | fabbricante | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5898 pcs | Scheda dati | BUZ31H3046 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO262-3 | Serie | SIPMOS® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 200 mOhm @ 9A, 5V | Dissipazione di potenza (max) | 95W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Altri nomi | SP000682994 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1120pF @ 25V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V | Tensione drain-source (Vdss) | 200V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 200V 14.5A (Tc) 95W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 14.5A (Tc) |
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