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BTS282ZE3180AATMA2

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Numero di parte BTS282ZE3180AATMA2
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 22953 pcs
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Numero di parte BTS282ZE3180AATMA2 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 22953 pcs Scheda dati BTS282Z
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2V @ 240µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO263-7-1 Serie TEMPFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 6.5 mOhm @ 36A, 10V Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Altri nomi BTS282ZE3180AATMA2CT temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 232nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET Temperature Sensing Diode Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 49V Descrizione dettagliata N-Channel 49V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-1
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)

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