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BTS282Z E3230

BTS282Z E3230
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Numero di parte BTS282Z E3230
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5379 pcs
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Numero di parte BTS282Z E3230 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5379 pcs Scheda dati BTS282Z
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2V @ 240µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore P-TO220-7-230 Serie TEMPFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 6.5 mOhm @ 36A, 10V Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-7
Altri nomi BTS282Z E3230-ND
BTS282ZE3230
BTS282ZE3230AKSA1
BTS282ZE3230NK
SP000012357
SP000457996		 temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 232nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET Temperature Sensing Diode Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 49V Descrizione dettagliata N-Channel 49V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole P-TO220-7-230
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)

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