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BSZ120P03NS3GATMA1

BSZ120P03NS3GATMA1
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Numero di parte BSZ120P03NS3GATMA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 214647 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte BSZ120P03NS3GATMA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 214647 pcs Scheda dati BSZ120P03NS3
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 3.1V @ 73µA
Vgs (Max) ±25V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TSDSON-8 Serie OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 12 mOhm @ 20A, 10V Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 52W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-PowerTDFN
Altri nomi BSZ120P03NS3 G
BSZ120P03NS3 G-ND
BSZ120P03NS3GATMA1TR
SP000709736		 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3360pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V Descrizione dettagliata P-Channel 30V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta), 40A (Tc)

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