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BSZ0506NSATMA1

BSZ0506NSATMA1
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Numero di parte BSZ0506NSATMA1
fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 30V 15A 8TSDSON
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 140493 pcs
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Numero di parte BSZ0506NSATMA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 30V 15A 8TSDSON Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 140493 pcs Scheda dati BSZ0506NS
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TSDSON-8-FL Serie OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 4.4 mOhm @ 20A, 10V Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 27W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-PowerTDFN
Altri nomi BSZ0506NSATMA1-ND
BSZ0506NSATMA1TR
SP001281636
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V Descrizione dettagliata N-Channel 30V 15A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Ta), 40A (Tc)

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